Поиск
Показаны результаты для тегов 'транзисторов'.
Найдено: 2 результата
-
Imec продолжает радовать разработками, открывающими путь к производству полупроводников с нормами менее 5–3 нм. Среди прочих докладов на симпозиуме VLSI Technology 2018 разработчики центра рассказали о найденной серии технологических цепочек, которая позволит выпускать комплиментарные пары полевых транзисторов с использованием технологических норм менее 3 нм (complementary FET, CFET). Процесс производства CFET по энергоэффективности и производительности транзисторов может в итоге превзойти техпроцесс FinFET применительно к технологическим нормам 3 нм. Более того, техпроцесс CFET открывает возможность уменьшить на 50 % размеры как стандартных (цифровых) ячеек, так и ячеек памяти SRAM. Напомним, что на использовании комплиментарных пар транзисторов базируется классические КМОП (CMOS) техпроцессы производства микросхем. Это транзисторы с разным типом проводимости (n и p), но идентичные или почти идентичные по параметрам. Разработчики Imec внесли смелое предложение создавать на кристалле комплиментарные транзисторы не рядом, а друг над другом. В предложенной Imec цепочке операций по обработке кремниевой пластины полевой транзистор n-типа (nFET) располагается над полевым транзистором p-типа (pFET). Транзистор pFET выполнен в виде вертикального ребра (фактически FinFET), а транзистор nFET в виде вынесенной над ним наностраницы (по сути такого же ребра FinFET). Особая прелесть данной конструкции в том, что она создаётся в обычном техпроцессе, как для выпуска транзисторов FinFET. Анализ конструкции с помощью TCAD-инструментов доказывает, что производительность и потребление CFET, выпущенных с использованием 3-нм техпроцесса, превзойдёт показатели транзисторов FinFET в лучшую сторону. Тем не менее, есть проблема, с которой ещё придётся разобраться — это высокое паразитное сопротивление участка подключения истока к верхнему nFET-транзистору (происходит значительное падение напряжения Vss). Данную проблему можно решить, например, за счёт использования рутения в качестве проводника. Что касается размера ячеек, то «цифровую» или стандартную ячейку в случае CFET удаётся свести к схеме с тремя активными рёбрами FinFET (три контактных площадки в первом слое металлизации), а ячейку SRAM — к схеме с четырьмя активными рёбрами FinFET. Современные же техпроцессы дают возможность создавать ячейку с 6 активными рёбрами и не меньше (6T). На картинке выше, поясним, показаны только активные рёбра FinFET. Рёбра-пустышки, которые разделяют активные FinFET, но не задействованы в схеме ячейки, на картинке заменены пустыми местами, но на кристалле они физически присутствуют и занимают место. «Двухэтажные» комплиментарные транзисторы позволят с пользой использовать окружающую площадь. В этом с Imec согласны партнёры по программе разработки компании GlobalFoundries, Huawei, Intel, Micron, Qualcomm, Samsung, SK Hynix, Sony Semiconductor Solutions, TOSHIBA Memory, TSMC и Western Digital.
-
- imec
- представил
- (и ещё 7 )
-
Исследователи из японского Института физико-химических исследований RIKEN разрабатывают технологию превращения кремниевых полевых транзисторов (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) в квантовые биты, кубиты, которые могут быть без особых проблем интегрированы в структуру традиционных полупроводниковых чипов. Появление такой технологии позволит создавать масштабируемые квантовые устройства, что, в свою очередь, сделает квантовые компьютеры еще на один шаг ближе к реальности. Работы по созданию "транзисторных кубитов" проводятся группой Кеиджи Оно (Keiji Ono) при участии специалистов компании Toshiba Corporation и коллег из США. Сейчас эта группа занимается исследованиями свойств кубитов на базе искусственных дефектов в структуре традиционных кремниевых полевых транзисторов. "Большинство компаний, в частности IBM и Google, разрабатывают свои квантовые компьютеры со сверхпроводящими кубитами" - рассказывает Кеиджи Оно, - "Мы, напротив, разрабатываем квантовый компьютер, основанный на традиционных кремниевых технологиях. Преимуществом такого подхода является то, что мы можем использовать все имеющиеся знания, опыт и оборудование". Во время экспериментов исследователи охладили полевой транзистор до температуры в 1.6 Кельвина (-271.6 градуса Цельсия) и занялись измерением его свойств, воздействуя на транзистор магнитным полем и микроволновым излучением. В таких условиях транзистор не оказался способным полностью открываться или закрываться, зато пара дефектов в его структуре сформировала две близкие квантовые точки, которые действовали как кубит, основанный на вращении электронов в этих точках. При этом, изменяя параметры работы транзистора можно управлять состоянием кубита или считывать содержащуюся в нем квантовую информацию. В своих дальнейших исследованиях ученые собираются постепенно увеличивать температуру и найти самую верхнюю точку, при которой все квантовые явления, происходящие внутри кубита-транзистора, будут продолжать действовать. "Наши текущие исследования уже были проведены при температуре, на порядок превышающей расчетную температуру" - рассказывает Кеиджи Оно, - "И у нас имеется подозрение, что мы сможем получить положительные результаты при более высоких температурах, лежащих в диапазоне от 10 до 100 Кельвинов, или, что более интересно, даже при комнатной температуре".
-
- превращение
- кремниевых
- (и ещё 8 )