Поиск
Показаны результаты для тегов 'техпроцесса'.
Найдено: 3 результата
-
Компания Toshiba сообщила о разработке технологического процесса полупроводникового производства TaRF10. Это очередное поколение фирменного техпроцесса TarfSOI (Toshiba advanced RF SOI), оптимизированного для изготовления малошумящих радиочастотных усилителей, используемых в смартфонах. Повышение скорости передачи данных в мобильных сетях привело к увеличению числа коммутаторов и фильтров в радиочастотных цепях смартфонов. В результате увеличились потери сигнала между антенной и приемником, повышая потребность в усилителях, характеризующихся низким уровнем шумов и способных скомпенсировать потери и восстановить сигнал. Прототип усилителя, изготовленный специалистами Toshiba с применением техпроцесса TaRF10, по словам производителя, показал выдающиеся параметры: шум 0,72 дБ и усиление 16,9 дБ на частоте 1,8 ГГц. Обычно современные усилители такого рода построены на гетеропереходных биполярных транзисторах с кремний-германиевой базой (SiGe:C), поэтому их сложно интегрировать на одном кристалле с коммутаторами, изготавливаемыми по другой технологии. Техпроцесс TaRF10 позволяет интегрировать усилитель, управляющие цепи и радиочастотные коммутаторы, поскольку он очень близок к техпроцессам TaRF8 и TaRF9, в силу обеспечиваемых ими меньших потерь сигнала используемым для изготовления коммутаторов. Именно такие интегрированные решения планирует выпускать Toshiba с использованием TaRF10.
-
- специалистами
- toshiba
- (и ещё 11 )
-
На конференции International Electron Devices Meeting (IEDM 2017), которая прошла в начале декабря, компания GlobalFoundries пролила чуть больше света на техпроцесс производства полупроводников с нормами 7 нм. Некоторые данные о техпроцессе 7LP (Leading-Performance) компания сообщала ранее. Теперь у нас появилась возможность дополнить данные и узнать кое-что новое, например, что в рамках 7-нм техпроцесса 7LP будет предложено два варианта выпуска полупроводников: для мобильного применения и для высокопроизводительных вычислений. По каким-то причинам GlobalFoundries не разделяет эти техпроцессы, хотя они значительно отличаются друг от друга. Техпроцесс для 7-нм чипов мобильного назначения предполагает высокоплотное размещение транзисторов, каждый из которых будет состоять из двух рёбер FinFET (каждое ребро — это транзисторный канал, окружённый затвором). Это позволит уменьшить площадь кристалла на 30 % и даже больше по сравнению с 14-нм FinFET техпроцессом. Кроме этого производительность (частоту транзисторов) можно будет увеличить до 40 % или уменьшить потребление до 55 %. Техпроцесс для производительных 7-нм решений, например, для процессоров компании AMD, подразумевает создание транзисторов с четырьмя рёбрами FinFET. Это очевидным образом увеличит площадь кристаллов и рабочие токи, зато позволит добавить ещё порядка 10 % производительности. Данная разновидность 7-нм техпроцесса также будет эксплуатировать более широкие проводники и увеличенные в диаметре отверстия сквозной металлизации. Кстати, компания AMD, как и Intel, для проводников и каналов с металлизацией планирует использовать кобальт. Это снизит явление электромиграции и уменьшит сопротивление межслойных соединений. В компании AMD не уточняют, как много слоёв металлизации будут использовать кобальт. Компания Intel переведёт на этот металл только два нижних металлических слоя. В компании не уточняют геометрические размеры рёбер и их форму (профиль) применительно к техпроцессу 7LP. Можно подозревать, что эти параметры несильно отличаются от геометрических размеров рёбер для 10-нм техпроцесса Intel или даже проигрывают им. Например, «межрёберное» расстояние для 10-нм техпроцесса Intel составляет 34 нм (fin pitch), а для 7-нм техпроцесса AMD, о чём она сообщила на IEDM 2017, 30 нм. Из других данных, о которых Intel прямо не говорит, AMD сообщила о расстоянии между затворами (gate pitch) — 56 нм и о минимальном расстоянии между металлическими проводниками (metal pitch) — 40 нм. Следует ожидать, что на данном этапе у Intel с этим чуть хуже. Что касается использования EUV-сканеров, то GlobalFoundries будет вводить новое оборудование для выпуска 7-нм решений поэтапно. На первом этапе сканеры EUV будут задействованы для изготовления металлических слоёв вне кристалла (нижележащая контактная группа или BEOL) и для изготовления сквозных отверстий для металлизации для межслойных соединений в контактной группе. Это сократит процесс не менее чем на 10 производственных шагов на этапе литографической обработки кремниевой пластины. На втором этапе EUV-сканеры будут использоваться для изготовления некоторых критических слоёв уже при обработке кристалла. Оба этапа раннего внедрения EUV-сканеров в сумме обещают уменьшить стоимость работ на 20 % или чуть больше. В заключение напомним, что рисковое производство с нормами 7 нм компания GlobalFoundries начнёт во второй половине 2018 года с запуском массового производства в 2019 году.
-
- globalfoundries
- предложит
-
(и ещё 4 )
C тегом:
-
В октябре прошлого года компания Samsung Electronics начала массовое производство первых однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET, которые используются в Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835, лежащих в основе Galaxy S8. Теперь Samsung сообщила о следующем достижении — техпроцесс 10-нм FinFET второго поколения прошел необходимые сертификации и готов к производству. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early). Также Samsung обещает запустить новую линию по производству 10-нм процессоров нового поколения, запустив линии S3 завода в Корейском городе Хвасон (Hwaseong) в четвертом квартале года, Отметим, что по слухам ряд флагманов 2017 года был задержан именно из-за недостаточного объема производства Snapdragon 835, первые партии которого Samsung зарезервировала под свои нужды, проще говоря, обеспечила Galaxy S8 эксклюзив.