Поиск
Показаны результаты для тегов 'нейроморфных'.
Найдено: 2 результата
-
Исследователи из университета Саутгемптона создали улучшенный вариант электронного прибора, мемристора, который способен изменять свое электрическое сопротивление в ответ на силу протекающего через него тока. Новый мемристор способен переключаться в любое из 128 стабильных состояний, что в четыре раза больше, чем аналогичные показатели любых других мемристоров, созданных ранее. Данная технология, после ее доведения до совершенства, может стать основой компьютерной памяти и нейроморфных процессоров следующего поколения. "Мемристоры являются ключевой технологией, предоставляющей возможности для создания чипов следующего поколения, подражающих принципам работы головного мозга" - пишут исследователи, - "И для наилучшего подражания эти чипы должны быть полностью реконфигурируемыми, масштабируемыми и максимально эффективными насколько это возможно". Основой структуры новых мемристоров являются несколько металл-оксидных двойных барьерных слоев, каждый из которых имеет отличные от других слоев электрические характеристики. Совокупность этих нескольких слоев, вносящих свою долю в общую ионную проводимость устройства, и позволила расширить количество состояний одного мемристора до 128, что позволяет хранить в одной ячейке памяти на базе такого мемристора 6.5 бит информации. Более того, со слов исследователей, мемристоры нового типа демонстрируют достаточно высокую стабильность, быстродействие и эффективность, т.е., для их функционирования требуется совсем незначительное количество энергии. В настоящее время создано несколько опытных образцов мемристоров нового типа, характеристики которых из-за условий полукустарного производства, значительно отличаются от экземпляра к экземпляру, поэтому приводить сейчас какие-либо цифры совершенно бесмысленно. Но ученые считают, что разработка технологии промышленного производства, которая уже ведется в данное время, позволит увеличить повторяемость и уменьшить разброс характеристик отдельных устройств.
-
- новые
- мемристоры
- (и ещё 12 )
-
В большинстве современных компьютеров используется динамическая память DRAM, которая обеспечивает очень высокую скорость работы, однако, данные в такой памяти теряются безвозвратно при отключении питания. Энергонезависимая память, используемая во флэш-картах и твердотельных дисках, способна хранить данные и при отсутствии питания, но работает она гораздо медленней динамической памяти. Решением проблемы совмещения высокой скорости работы и энергонезависимости являются устройства под названием мемристоры, которые уже используются для создания нейроморфных процессоров и компьютеров, работающих на принципах, повторяющих принципы работы головного мозга. И недавно, группа, в которую вошли ученые из США и Китая, создала новый тип мемристоров из материалов условно атомарной величины, которые получили соответствующее название - атомисторы. Атомистор состоит из слоя материала вида переходных дихалькогенидов, к которым относится дисульфид молибдена, молибденит, материал, имеющий огромные перспективы его использования в микроэлектронике. Слой этого материала зажат между двумя металлическими электродами, имеющими определенные размеры и форму. За счет использования ряда физических явлений, таких, как топологический перенос электрических зарядов, формирование экситонов и т.п., атомистор способен очень быстро переключать свое состояние, т.е. изменять свое электрическое сопротивление. Главным "коньком" данного достижения является то, что созданием атомисторов ученые опровергли убеждения, что размеры элементов ячеек энергонезависимой памяти не могут быть сокращены до субнанометровых размеров. При использовании обычных материалов такому сокращению препятствуют токи утечки, которые возрастают из-за эффекта квантового туннелирования электронов и делают миниатюрные устройства неработоспособными. И в заключение следует отметить, что ученым удалось создать опытные образцы атомисторов, изготовленных из различных монослойных материалов. И наиболее скоростные из этих устройств обеспечили максимальную частоту переключения их состояния на уровне 50 ГГц.
-
- новые
- электронные
- (и ещё 9 )