Поиск
Показаны результаты для тегов 'серийное'.
Найдено: 2 результата
-
Налаживание кооперационных схем внутри предприятий Роскосмоса поможет запустить серийное производство "тяжелой" ракеты "Ангара" уже в 2021 году, считает вице-премьер Дмитрий Рогозин. "Задача состоит в том, чтобы не в 2022-м, а хотя бы в 2021 году мы могли бы уже начать серийное производство "Ангары", — сказал вице-премьер по итогам посещения филиала АО "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева" ПО "Полет". Рогозин подчеркнул, что в Роскосмосе пока что рассчитывают в 2019 году сделать "легкую" ракету "Ангара 1.1" и "Ангара 1.2", тяжелая же версия по изначальному плану должна была появиться к 2022 году. "Я потребовал 2021 год. Это реально, исходя из тех решений, которые я считаю необходимым сделать в части кооперации с другими предприятиями. Я считаю, что они поняли задачу", — сказал он, добавив, что будет сформирован соответствующий план-график, исходя из новой даты с обратным отсчетом. "Мы рассчитаем все этапы создания этих производств, финансирования этих производств, с тем, чтобы выйти на эту дату", — заключил Рогозин.
-
- серийное
- производство
- (и ещё 7 )
-
Компания GS Group анонсировала, как она утверждает, серийное производство первых российских твердотельных накопителей. Выпуск устройств налажен в инновационном кластере «Технополис GS». Отмечается, что локализован весь цикл разработки и производства SSD-устройств, включая проектирование, разработку, монтаж компонентов на плате, корпусирование микросхем памяти, финальную сборку и упаковку изделий. Возможна индивидуальная аппаратная или программная настройка оборудования под конкретные требования заказчика. GS Group представила первый серийный образец твердотельного накопителя в 2017 году. Это была 2,5-дюймовая модель объёмом 256 Гбайт. До конца нынешнего года планируется выпуск аппаратов вместимостью до 1 Тбайт, предназначенных для рабочих станций, серверов, а также СХД и других сложных многоуровневых систем. Накопители GS Group обладают интерфейсом SATA 3.0 с максимальной скоростью передачи данных до 6 Гбит/с и показателями скорости чтения и записи данных на уровне до 550 Мбайт/с и 450 Мбайт/с соответственно. В основе устройств лежат произведённые в «Технополисе GS» микросхемы памяти, внутри которых используются кристаллы 3D NAND последнего поколения от ведущих мировых производителей.