Российские учёные создадут транзисторы нового поколения для систем связи

[душман]

Специалисты Томского государственного университета (ТГУ) совместно с АО НПФ «Микран» создают технологию промышленного производства тонкоплёночных полупроводниковых гетероструктур для изделий гражданского, оборонного и космического назначения.

Речь идёт прежде всего о разработке транзисторов нового поколения с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor, HEMT). Российские исследователи рассчитывают повысить удельную мощность таких изделий.

«Для производства современных НЕМТ используют многослойные тонкоплёночные гетероструктуры, функциональные характеристики которых могут быть улучшены за счёт нитридных соединений индия-алюминия-галлия в сочетаниях, которые ранее промышленно не использовались», — отмечают специалисты.

Помимо повышения мощности, будут улучшены и другие характеристики транзисторов. В частности, повысятся термическая стабильность и устойчивость к внешним высокоэнергетическим воздействиям.

Отмечается, что в процессе изготовления HEMT летучие металл-органические соединения будут послойно наноситься на подложку из карбида кремния. Транзисторы нового поколения найдут применение в различных системах связи, в том числе мобильной и спутниковой.

Реализация проекта обойдётся в 300 млн рублей. Половину этой суммы предоставит Минобрнауки РФ. Исследования планируется завершить к концу следующего года.