Satuser

Установка SamyGo (права ROOT) на телевизорах Samsung H-серии

В теме 68 сообщений

В 03.04.2018 в 23:37, Savosya73 сказал:

 

копируем oscam-svn11110-samsungtv-webif-emu в /mnt/opt/oscam

телнет:

chmod 755 /mnt/opt/oscam/oscam-svn11110-samsungtv-webif-emu

 

02_07_oscam.init

скопировать с заменой файл 02_07_oscam.init в папку  /mnt/etc/init.d/

телнет:

chmod 755 /mnt/etc/init.d/02_07_oscam.init

Нескачивается бинарник пишет ошибка!?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
В 03.04.2018 в 22:24, Sesk4 сказал:

Дело точно не в шаре,на h серии всё отлично,а на E каждую минуту заикается.сравнивал настройки с h они разнятся,хотя 11400 у обоих?посмотрите мои скрины может где-то завышено или заниженно значение?или ещё что нибудь?

Вот 4 основных файла для настройки Oscam без emu. С настройками для emu ни разу не сталкивался. В Вашем случае, если на  H  серии все работает, то скопируйте настройки на  E  серию, они ни чем не отличаются для D,E,F,H серий

image.thumb.png.00b5680a57e6ca2f254a366ec7468190.pngimage.thumb.png.fff8df04296166fc3b008a6f8e377d26.pngimage.thumb.png.8045f588717da26d593bc180a9f2e0cd.pngimage.thumb.png.8f82900fee671acdbea209338a82f124.png

Изменено пользователем Savosya73

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

У меня так, может удалить эти блоки?и в самом аипи у меня другой,это важно?

Screenshot_Boat Browser for Tablet_20180415-212608.png

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Это настройки веб интерфейса oscam ,Вы же заходите в настройки oscam через браузер,значит всё нормально

в файле oscam.server попробуйте удалить строку

ident                        = ****:******

Изменено пользователем Savosya73

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
21 минуту назад, Savosya73 сказал:

Это настройки веб интерфейса oscam ,Вы же заходите в настройки oscam через браузер,значит всё нормально

в файле oscam.server попробуйте удалить строку

ident                        = ****:******

Удалил всё тоже самое,а файл 02-07 мнит,и либа только одни они мне подходят?или есть другие?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
10 минут назад, Sesk4 сказал:

Удалил всё тоже самое,а файл 02-07 мнит,и либа только одни они мне подходят?или есть другие?

02_07_oscam.init  - это файл запуска оскам. Оскам у Вас запускается...

libOscamE_NON-MST_build26.so  - либка проверенная...

У Вас какой-то косяк в настройках, перепишите с H серии настройки..

Возьмите тест шары у какого-нибудь шаровода и проверьте работу Оскама. БЕЗ emu  чтобы проверить

 

Изменено пользователем Savosya73

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
20 часов назад, Savosya73 сказал:

02_07_oscam.init  - это файл запуска оскам. Оскам у Вас запускается...

libOscamE_NON-MST_build26.so  - либка проверенная...

У Вас какой-то косяк в настройках, перепишите с H серии настройки..

Возьмите тест шары у какого-нибудь шаровода и проверьте работу Оскама. БЕЗ emu  чтобы проверить

 

Ну...!!!вроде всё!!!))))настроил!!!!миллион раз вам спасибо за помощь!!!что возились сомной дело было бонально в настройках оскам лог! там у меня было прописано два конфига для Нтв+ 060А00 и 060С00,заморозил в оскам дви 060С00 и всё летает как по маслу!)вернул оскам 11400 он быстрее каналы открывает.только одного не могу понять?у шаровода два идента и у каждого свой сервер!!как же тогда всё показывает только на 060А00

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти

  • Похожий контент

    • От Ippolitovich
      Компания Samsung продолжает экспериментировать с дизайном смартфонов: информацию об очередной разработке в данной сфере опубликовало Управление США по патентам и торговым маркам (USPTO).
       


      Документ носит лаконичное название «Электронное устройство» (Electronic device). Патент относится к категории дизайнерских, поэтому в нём описан лишь внешний вид гаджета, тогда как технические подробности отсутствуют.
      Иллюстрации, сопровождающие патент, говорят о том, что смартфон имеет моноблочный форм-фактор. Небольшая рамка присутствует только над экраном — в этой области располагаются динамик и фронтальная камера.
      Главная особенность заключается в наличии второго дисплея — он расположен на обратной стороне смартфона. Видно, что этот экран занимает примерно треть площади  тыльной поверхности корпуса. Над дисплеем установлена основная камера со вспышкой.
       


      Изображения также указывают на наличие физических кнопок в боковой части. Кроме того, обозначен симметричный порт USB Type-C.
      Увы, пока не ясно, планирует ли Samsung выпускать коммерческие устройства с описанным дизайном. Не исключено, что это решение пополнит перечень «бумажных» разработок компании. 
    • От Ippolitovich
      На днях Samsung подтвердила планы использования сканеров EUV для выпуска DRAM. А во время конференции VLSI раскрыла подробности о своей 7-нм технологии, основанной на EUV. Новая литография предлагает широкий спектр преимуществ для чипов компании, которые, как ожидалось, могут появиться уже в Galaxy S10. Samsung собирается первой на рынке начать применение технологии EUV, сулящей ряд выгод по сравнению с традиционными инструментами, поставляемыми ASML или Nikon.
       


      Сегодня литографические инструменты используют свет с длиной волны 193 нм. EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете) — следующее поколение инструментов печати чипов, оснащённых сканерами с длиной волны 13,5 нм. Например, новые сканеры уже позволили Samsung создать самые маленькие FinFET-транзисторы в мире. В целом новый 7-нм техпроцесс компании, как сообщает корейский производитель, позволяет на 40 % увеличить плотность логики чипов по сравнению с её 10-нм нормами, используемыми в Snapdragon 845 и Exynos 9810.
      Это не единственное преимущество: Samsung говорит о повышении на 70 % точности фотошаблонов, что позволяет сократить количество циклов обработки и, соответственно, заметно снизить себестоимость. По сравнению со 193-нм сканерами новое EUV-оборудование от ASML также помогает быстрее наращивать долю выхода годных кристаллов, что тоже увеличивает экономию.
       


      Уже сейчас корейский гигант добился производства 256-Мбит тестовых кристаллов SRAM с использованием 7-нм норм с долей выхода годных чипов более 50 процентов. Кроме того, компания отпечатала полностью работоспособную 7-нм однокристальную систему с четырёхъядерным CPU и шестиядерным GPU. Samsung говорит, что новые 7-нм нормы EUV обеспечивают рост производительности на 20–30 % или снижение энергопотребления на 30–50 % (то есть до двух раз).
       

       
      К сожалению, процесс перехода от рискового производства в этом году до полноценной массовой печати кристаллов может занять у Samsung 12 месяцев и даже более. Другими словами, не стоит рассчитывать, что новый флагманский кристалл Samsung, который придёт на смену Exynos 9820, будет произведён с соблюдением 7-нм норм EUV. По-видимому, в Galaxy S10 будет использоваться чип на базе 8-нм LPP техпроцесса Samsung — такой же применяется якобы в производстве Snapdragon 730. Кстати, Samsung подтвердила, что может перевести чипы Qualcomm с 10-нм FinFET-печати на 8-нм техпроцесс, так что вполне можно ждать анонса ряда новых 8-нм процессоров Snapdragon.
      Тем временем TSMC придерживается другого подхода в освоении 7-нм норм: тайваньская компания опирается на отработанные литографические инструменты вместо освоения ULV-сканеров. За счёт этого её техпроцесс CLN7FF уже готов к массовому производству, а к концу года ожидается, что количество 7-нм продуктов, достигших стадии tapeout, превысит 50 и будет включать однокристальные системы, серверные CPU, графические и ИИ-ускорители, FPGA и сетевые процессоры. Одним из них выступает, по слухам, Apple A12, который появится в новых iPhone.
    • От Ippolitovich
      В распоряжении сетевых источников оказалось руководство пользователя, раскрывающее характеристики планшета Galaxy Tab Advanced 2, который, как ожидается, в скором времени анонсирует компания Samsung.
      Гаджет получит фирменный процессор Exynos 7870. В состав этого чипа входят восемь ядер ARM Cortex-A53 с тактовой частотой до 1,6 ГГц и графический контроллер Mali-T830.

      Называется разрешение сенсорного дисплея — 1920 × 1200 пикселей (формат WUXGA), но его размер не уточняется. Предусмотрена фронтальная камера со вспышкой.
      В арсенале новинки — адаптеры беспроводной связи Bluetooth 4.2 и Wi-Fi 802.11ас, слот для карты microSD, симметричный порт USB Type-C. Габариты составляют 250,4 × 166,2 × 8,5 мм, вес — 525 граммов.
      Отмечается, что планшет будет поставляться с операционной системой Android 8.0 Oreo. Владельцы смогут воспользоваться голосовым ассистентом Bixby.

      Наблюдатели полагают, что устройство будет оснащено 3 Гбайт оперативной памяти и флеш-модулем вместимостью 32/64 Гбайт. Анонс Galaxy Tab Advanced 2 ожидается в ближайшее время.
      По оценкам IDC, в первом квартале текущего года в глобальном масштабе было реализовано 31,7 млн планшетов. Это приблизительно на 11,7 % меньше по сравнению с первой четвертью 2017 года, когда объём мирового рынка оценивался в 35,8 млн единиц. 
    • От Ippolitovich
      Как сообщает интернет-ресурс News1 Korea, ответственный руководитель компании Samsung Electronics на днях подтвердил намерение производителя выпускать микросхемы оперативной памяти типа DRAM с использованием сканеров диапазона EUV (13,5 нм). Ранее о такой возможности уже сообщалось, но теперь прозвучал официальный комментарий Samsung. С помощью EUV-проекции предполагается выпускать 16-нм DRAM с началом коммерческого производства к 2020 году. Впоследствии с помощью EUV-проекции компания планирует также выпускать 17-нм память.

      В настоящий момент, напомним, Samsung для выпуска микросхем памяти использует 193-нм сканеры. Компания уже приступила к производству DRAM с использованием второго поколения техпроцесса с нормами класса 10 нм (это 17-нм или 16-нм техпроцесс, тогда как первое поколение техпроцесса опиралось на 18-нм нормы). Как видим, компания прекрасно справляется с выпуском DRAM без перехода на EUV-сканеры. Для этого для изготовления критически важных слоёв она использует последовательно по четыре фотошаблона и четыре цикла обработки (технология Quadruple Patterning Technique, QPT). Кстати, она первой в мире применила четырёхкратную проекцию для выпуска памяти и снова станет первой, если начнёт выпускать память с помощью литографии EUV.
      В идеальном случае сканеры диапазона EUV помогут сократить число производственных циклов (и фотошаблонов) для изготовления каждого слоя с четырёх циклов до одного. Это касается выпуска памяти 10-нм класса, для выпуска DRAM с нормами от 7 нм и ниже потребуется больше одного шаблона на слой. Попросту говоря, Samsung намерена существенно сократить затраты на производство DRAM практически без увеличения роста плотности записи.

      Что касается конкурентов, то компания Micron разрабатывает 13-нм DRAM, которую рассчитывает начать выпускать с 2020 года в Японии на бывших заводах Elpida Memory. Будет ли она использовать для этого сканеры EUV, сейчас неизвестно, разработка техпроцесса только стартовала. Компания SK Hynix готовится выпускать в 2019 году DRAM с использованием техпроцесса с нормами 17 или 16 нм. Сканеры EUV она при этом использовать не будет. Поэтому существует ненулевая вероятность, что Samsung снова совершит маленькую революцию, первой начав выпускать чипы DRAM на ультрасовременном EUV-оборудовании.
    • От Ippolitovich
      Компания Samsung опубликовала в социальной сети LinkedIn (заблокирована в России) объявление о поиске специалистов для работы над собственными графическими ядрами.
       


      Слухи о планах Samsung по созданию фирменных графических ядер уходят корнями как минимум в 2014 год. Тогда сообщалось, что такие решения могут дебютировать в 2015 году, но этого не произошло. Затем появились сведения, что Samsung ведёт переговоры по поводу графических технологий с AMD и NVIDIA.
      Теперь южнокорейский гигант фактически подтвердил работу над собственными графическими ядрами. В объявлении о поиске специалистов говорится, что изделия первого поколения найдут применение в мобильных устройствах. Это могут быть смартфоны и планшеты.
       


      Графические чипы следующего поколения компания Samsung рассчитывает применять в таких сферах, как автомобильные системы автопилотирования и средства машинного обучения.
      Подчёркивается, что Samsung проектирует графические решения, полагающиеся исключительно на собственные разработки. По всей видимости, в перспективе такие ядра войдут в состав фирменных процессоров Exynos. В настоящее время южнокорейский гигант применяет в чипах Exynos графические контроллеры серии ARM Mali.