eserguei

samsung UE46F6500AB + samyGO + oscam

В теме 12 сообщений

Сделал вроде все по инструкции: 

получил тестовый шаринг, прописал логин и пароль в oscam.server, но не понимаю куда нужно прописать имя сервера и порт?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

там нет таких строк.

# oscam.server generated automatically by Streamboard OSCAM 1.20-unstable_svn SVN r11272
# Read more: http://www.streamboard.tv/svn/oscam/trunk/Distribution/doc/txt/oscam.server.txt

[reader]
label                         = "060A00"
protocol                      = newcamd
device                        = ХХХХХХХХХ 
key                           = 0102030405060708091011121314
user                          = XXXXX
password                      = XXXXX
ident                         = 0500:060A00
group                         = 1
audisabled                    = 1

[reader]
label                         = emulator
enable                        = 0
protocol                      = emu
device                        = emulator
caid                          = 090F,0500,1801,0604,2600,FFFF,0E00,4AE1,1010
detect                        = cd
ident                         = 090F:000000;0500:000000,023800,021110,007400,007800;1801:000000,007301,001101,002111;0604:000000;2600:000000;FFFF:000000;0E00:000000;4AE1:000011,000014,0000FE;1010:000000
group                         = 1
emmcache                      = 2,1,2,1
emu_auproviders               = 0604:010200;0E00:000000;4AE1:000011,000014,0000FE;1010:000000

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

разобрался. через ",".

при переключении на кодированный канал тели завис

в Live логе 

  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (main) System name = Linux
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (main) Host name = (none)
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (main) Release = 3.0.33
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (main) Version = #1 SMP PREEMPT Fri Jan 10 18:09:19 KST 2014
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (main) Machine = armv7l
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (main) creating pidfile /mtd_rwcommon/oscam/oscam.pid with pid 1272
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s [Emu] oscam-emu version 732
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (config) userdb reloaded: 1 accounts loaded, 0 expired, 0 disabled
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (main) signal handling initialized
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (led) LED support is not active. Can't detect machine type.
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (reader) "060A00" [newcamd] creating thread for device
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (stat) loadbalancer: could not open /mtd_rwcommon/oscam/stat for reading (errno=2 No such file or directory)
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (main) waiting for local card init
  • 2017/06/27 23:13:34 38B03E5A p (newcamd) proxy :10002 newcamd525 (fd=0)
  • 2017/06/27 23:13:34 38B03E5A p (reader) "060A00" [newcamd] proxy initialized, server :10002
  • 2017/06/27 23:13:34 295A323E h (webif) webif: decompressed 174546 bytes back into 425440 bytes
  • 2017/06/27 23:13:34 295A323E h (webif) HTTP Server running. ip=0.0.0.0 port=8888
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (main) init for all local cards done
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (emmcache) loading emmcache disabled since no reader is using it!
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (emmcache) loading emmstats disabled since no reader is using it!
  • 2017/06/27 23:13:34 00000000 s (anticasc) anti cascading disabled
  • 2017/06/27 23:13:34 13BCD4E5 c (client) plain dvbapi-client granted (anonymous, au=off)
  • 2017/06/27 23:13:34 13BCD4E5 c (dvbapi) dvbapi channelcache loaded from /mtd_rwcommon/oscam/oscam.ccache
  • 2017/06/27 23:13:34 13BCD4E5 c (dvbapi) Using SamyGO dvbapi v0.1
  • 2017/06/27 23:13:34 13BCD4E5 c (dvbapi) PMT6: Trying connect to enigma CA PMT listen socket...
  • 2017/06/27 23:13:34 13BCD4E5 c (dvbapi) PMT6 CA PMT Server connected on fd 8!
  • 2017/06/27 23:15:17 13BCD4E5 c (dvbapi) PMT6: Trying connect to enigma CA PMT listen socket...
  • 2017/06/27 23:15:17 13BCD4E5 c (dvbapi) socket connect error (errno=111 Connection refused)
  • 2017/06/27 23:15:18 13BCD4E5 c (dvbapi) PMT6: Trying connect to enigma CA PMT listen socket...
  • 2017/06/27 23:15:18 13BCD4E5 c (dvbapi) socket connect error (errno=111 Connection refused)
  • 2017/06/27 23:15:19 13BCD4E5 c (dvbapi) PMT6: Trying connect to enigma CA PMT listen socket...
  • 2017/06/27 23:15:19 13BCD4E5 c (dvbapi) socket connect error (errno=111 Connection refused)
  • 2017/06/27 23:15:20 13BCD4E5 c (dvbapi) PMT6: Trying connect to enigma CA PMT listen socket...
  • 2017/06/27 23:15:20 13BCD4E5 c (dvbapi) socket connect error (errno=111 Connection refused)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Для просмотра НТВ+ правильные ли настройки стоят в телевизоре?

 

Может что-то еще важное нужно включить для спутникового просмотра нтв+?

IMG_20170628_201907.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

@eserguei обратите внимание что для F6500 есть свой оскам, там до какой-то версии только работает на этих сериях

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

@Satuser

у меня UE46F6500AB, прошивка T-MST12DEUC_1119.0.

Подскажите где найти то что нужно и как со всем этим разобраться?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти

  • Похожий контент

    • От Ippolitovich
      Управление США по патентам и торговым маркам (USPTO) рассекретило новую разработку Samsung — так называемое «Гибкое электронное устройство» (Flexible electronic device).
       


      В опубликованном документе описывается лишь дизайн нового мобильного гаджета — технические подробности в патенте не приводятся. Представленное на изображениях устройство можно охарактеризовать как гибрид смартфона и планшета с гибким дисплеем.
       


      Экран опоясывает весь корпус. При необходимости пользователь может развернуть эту панель, увеличив полезную площадь дисплея приблизительно в два раза.
       


      Документ говорит о том, что в раскрытом состоянии экран можно установить в удобном для просмотра и управления положении. В одной из боковых частей есть две физические кнопки.
       


      Иллюстрации также говорят о том, что устройство оборудовано фронтальной и тыльной камерами, портом Micro-USB и динамиками в верхней и нижней частях корпуса.
       


      Не исключено, что в перспективе описанный дизайн ляжет в основу коммерческого устройства Samsung. Но пока о планах по претворению идеи в жизнь ничего не сообщается.
    • От Ippolitovich
      Компания Samsung продолжает экспериментировать с дизайном смартфонов: информацию об очередной разработке в данной сфере опубликовало Управление США по патентам и торговым маркам (USPTO).
       


      Документ носит лаконичное название «Электронное устройство» (Electronic device). Патент относится к категории дизайнерских, поэтому в нём описан лишь внешний вид гаджета, тогда как технические подробности отсутствуют.
      Иллюстрации, сопровождающие патент, говорят о том, что смартфон имеет моноблочный форм-фактор. Небольшая рамка присутствует только над экраном — в этой области располагаются динамик и фронтальная камера.
      Главная особенность заключается в наличии второго дисплея — он расположен на обратной стороне смартфона. Видно, что этот экран занимает примерно треть площади  тыльной поверхности корпуса. Над дисплеем установлена основная камера со вспышкой.
       


      Изображения также указывают на наличие физических кнопок в боковой части. Кроме того, обозначен симметричный порт USB Type-C.
      Увы, пока не ясно, планирует ли Samsung выпускать коммерческие устройства с описанным дизайном. Не исключено, что это решение пополнит перечень «бумажных» разработок компании. 
    • От Ippolitovich
      На днях Samsung подтвердила планы использования сканеров EUV для выпуска DRAM. А во время конференции VLSI раскрыла подробности о своей 7-нм технологии, основанной на EUV. Новая литография предлагает широкий спектр преимуществ для чипов компании, которые, как ожидалось, могут появиться уже в Galaxy S10. Samsung собирается первой на рынке начать применение технологии EUV, сулящей ряд выгод по сравнению с традиционными инструментами, поставляемыми ASML или Nikon.
       


      Сегодня литографические инструменты используют свет с длиной волны 193 нм. EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете) — следующее поколение инструментов печати чипов, оснащённых сканерами с длиной волны 13,5 нм. Например, новые сканеры уже позволили Samsung создать самые маленькие FinFET-транзисторы в мире. В целом новый 7-нм техпроцесс компании, как сообщает корейский производитель, позволяет на 40 % увеличить плотность логики чипов по сравнению с её 10-нм нормами, используемыми в Snapdragon 845 и Exynos 9810.
      Это не единственное преимущество: Samsung говорит о повышении на 70 % точности фотошаблонов, что позволяет сократить количество циклов обработки и, соответственно, заметно снизить себестоимость. По сравнению со 193-нм сканерами новое EUV-оборудование от ASML также помогает быстрее наращивать долю выхода годных кристаллов, что тоже увеличивает экономию.
       


      Уже сейчас корейский гигант добился производства 256-Мбит тестовых кристаллов SRAM с использованием 7-нм норм с долей выхода годных чипов более 50 процентов. Кроме того, компания отпечатала полностью работоспособную 7-нм однокристальную систему с четырёхъядерным CPU и шестиядерным GPU. Samsung говорит, что новые 7-нм нормы EUV обеспечивают рост производительности на 20–30 % или снижение энергопотребления на 30–50 % (то есть до двух раз).
       

       
      К сожалению, процесс перехода от рискового производства в этом году до полноценной массовой печати кристаллов может занять у Samsung 12 месяцев и даже более. Другими словами, не стоит рассчитывать, что новый флагманский кристалл Samsung, который придёт на смену Exynos 9820, будет произведён с соблюдением 7-нм норм EUV. По-видимому, в Galaxy S10 будет использоваться чип на базе 8-нм LPP техпроцесса Samsung — такой же применяется якобы в производстве Snapdragon 730. Кстати, Samsung подтвердила, что может перевести чипы Qualcomm с 10-нм FinFET-печати на 8-нм техпроцесс, так что вполне можно ждать анонса ряда новых 8-нм процессоров Snapdragon.
      Тем временем TSMC придерживается другого подхода в освоении 7-нм норм: тайваньская компания опирается на отработанные литографические инструменты вместо освоения ULV-сканеров. За счёт этого её техпроцесс CLN7FF уже готов к массовому производству, а к концу года ожидается, что количество 7-нм продуктов, достигших стадии tapeout, превысит 50 и будет включать однокристальные системы, серверные CPU, графические и ИИ-ускорители, FPGA и сетевые процессоры. Одним из них выступает, по слухам, Apple A12, который появится в новых iPhone.
    • От Ippolitovich
      В распоряжении сетевых источников оказалось руководство пользователя, раскрывающее характеристики планшета Galaxy Tab Advanced 2, который, как ожидается, в скором времени анонсирует компания Samsung.
      Гаджет получит фирменный процессор Exynos 7870. В состав этого чипа входят восемь ядер ARM Cortex-A53 с тактовой частотой до 1,6 ГГц и графический контроллер Mali-T830.

      Называется разрешение сенсорного дисплея — 1920 × 1200 пикселей (формат WUXGA), но его размер не уточняется. Предусмотрена фронтальная камера со вспышкой.
      В арсенале новинки — адаптеры беспроводной связи Bluetooth 4.2 и Wi-Fi 802.11ас, слот для карты microSD, симметричный порт USB Type-C. Габариты составляют 250,4 × 166,2 × 8,5 мм, вес — 525 граммов.
      Отмечается, что планшет будет поставляться с операционной системой Android 8.0 Oreo. Владельцы смогут воспользоваться голосовым ассистентом Bixby.

      Наблюдатели полагают, что устройство будет оснащено 3 Гбайт оперативной памяти и флеш-модулем вместимостью 32/64 Гбайт. Анонс Galaxy Tab Advanced 2 ожидается в ближайшее время.
      По оценкам IDC, в первом квартале текущего года в глобальном масштабе было реализовано 31,7 млн планшетов. Это приблизительно на 11,7 % меньше по сравнению с первой четвертью 2017 года, когда объём мирового рынка оценивался в 35,8 млн единиц. 
    • От Ippolitovich
      Как сообщает интернет-ресурс News1 Korea, ответственный руководитель компании Samsung Electronics на днях подтвердил намерение производителя выпускать микросхемы оперативной памяти типа DRAM с использованием сканеров диапазона EUV (13,5 нм). Ранее о такой возможности уже сообщалось, но теперь прозвучал официальный комментарий Samsung. С помощью EUV-проекции предполагается выпускать 16-нм DRAM с началом коммерческого производства к 2020 году. Впоследствии с помощью EUV-проекции компания планирует также выпускать 17-нм память.

      В настоящий момент, напомним, Samsung для выпуска микросхем памяти использует 193-нм сканеры. Компания уже приступила к производству DRAM с использованием второго поколения техпроцесса с нормами класса 10 нм (это 17-нм или 16-нм техпроцесс, тогда как первое поколение техпроцесса опиралось на 18-нм нормы). Как видим, компания прекрасно справляется с выпуском DRAM без перехода на EUV-сканеры. Для этого для изготовления критически важных слоёв она использует последовательно по четыре фотошаблона и четыре цикла обработки (технология Quadruple Patterning Technique, QPT). Кстати, она первой в мире применила четырёхкратную проекцию для выпуска памяти и снова станет первой, если начнёт выпускать память с помощью литографии EUV.
      В идеальном случае сканеры диапазона EUV помогут сократить число производственных циклов (и фотошаблонов) для изготовления каждого слоя с четырёх циклов до одного. Это касается выпуска памяти 10-нм класса, для выпуска DRAM с нормами от 7 нм и ниже потребуется больше одного шаблона на слой. Попросту говоря, Samsung намерена существенно сократить затраты на производство DRAM практически без увеличения роста плотности записи.

      Что касается конкурентов, то компания Micron разрабатывает 13-нм DRAM, которую рассчитывает начать выпускать с 2020 года в Японии на бывших заводах Elpida Memory. Будет ли она использовать для этого сканеры EUV, сейчас неизвестно, разработка техпроцесса только стартовала. Компания SK Hynix готовится выпускать в 2019 году DRAM с использованием техпроцесса с нормами 17 или 16 нм. Сканеры EUV она при этом использовать не будет. Поэтому существует ненулевая вероятность, что Samsung снова совершит маленькую революцию, первой начав выпускать чипы DRAM на ультрасовременном EUV-оборудовании.