Поиск

Лучшая защита — это нападение. Компания Samsung Electronics, сообщает сайт DigiTimes со ссылкой на южнокорейское издание Chosun Ilbo, намерена резко увеличить капитальные затраты на расширение выпуска энергонезависимой памяти типа 3D NAND (многослойной NAND-флеш). В свете аналогичных усилий, предпринимаемых конкурентами и, что более опасно — китайцами, наращивание объёмов выпуска 3D NAND может стать единственным правильным ответом Samsung на вызовы времени. В 2018 году, сообщают источники, компания Samsung потратила и потратит на развитие производства NAND-флеш около $6,4 млрд. В 2019 году на те же цели компания планирует потратить порядка $9 млрд. Означенные сумму будут направлены преимущественно на расширение производственных линий по выпуску 3D NAND на заводе в городе Пхёнтэк (Pyeongtaek), Южная Корея, и на заводе компании в городе Сиань (Xian), Китай. Запланированное расширение, считают местные источники, «зацементирует» лидирующую позицию Samsung на рынке NAND-флеш. Как свидетельствуют независимые аналитические наблюдения, с начала текущего года цены на память типа NAND практически прекратили рост и даже начали снижаться, переломив длившуюся почти два года пагубную для потребителей NAND тенденцию к росту. В свете наращивания производства памяти компаниями Samsung, SK Hynix, Micron, Intel, Toshiba/Western Digital/SanDisk и даже подающими робкий голос китайцами из компании XMC/Yangtze River Storage Technology, контрактные цены на NAND во второй половине года обещают следовать «мягким» тенденциям и продолжить этот курс в 2019 году. Проще говоря, память NAND начнёт дешеветь. С точки зрения производителей, в удешевлении памяти NAND скрывается угроза. Очень скоро может наступить этап перепроизводства со всеми вытекающими неприятностями — это снижение цен и потеря выручки и прибыли. Очевидно, выстоит в этой ситуации тот, кто сможет выпускать больше и (или) дешевле. Компания Samsung делает ставку на больше, дешевле и... технологичнее.

Официальным пресс-релизом подразделение Toshiba Memory Corporation одноимённой японской корпорации анонсировало сроки начала строительства нового завода по выпуску флеш-памяти 3D NAND (фирменное название — BiCS FLASH). Новое предприятие будет построено на сервере страны в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Строительство начнётся в июле текущего года и будет закончено примерно год спустя. Затем компании понадобится ещё около года на установку производственного оборудования. В строй завод войдёт в 2020 году ближе к его середине. Решение о строительстве нового завода было принято в начале сентября прошлого года. Теперь, когда Toshiba Memory близка к самостоятельной от материнской корпорации работе (она получила все необходимые разрешения на продажу консорциуму K.K. Pangea), планам строительства нового завода уже ничего не мешает. Компания Western Digital приглашена участвовать в строительстве и в последующем дележе продукции. Ранее WD уже заявляла о готовности принять участие в данном мероприятии. Завод будет построен с использованием передовых технологий во всём, начиная с защиты от землетрясений и энергоэффективности и заканчивая искусственным интеллектом, который будет управлять производством. Для работы на новом предприятии в этом году компания планирует нанять 370 выпускников. В то же время объёмы производства и точную сумму стоимости проекта компания не называет. Эти параметры будут определяться позже в зависимости от складывающейся рыночной обстановки. В настоящий момент Toshiba Memory заканчивает завоз производственного оборудования на линии второй очереди на заводе Fab 6 в Йоккаити. Первая очередь линий начала выпускать продукцию год назад. Это была 64-слойная память 3D NAND. Новые линии, как ожидается, начнут выпускать 96-слойную память, что произойдёт ближе к концу этого года. Приятно, что Toshiba верна принципу, что заводов много не бывает. Это позволяет надеяться, что дефицита и роста цен на NAND-флеш не будет, а стоимость хранения данных на SSD продолжит снижаться.

Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти. Напомним, в январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов и в дальнейшем инженерные коллективы её и Micron будут работать раздельно (за исключением разработок, связанных с памятью 3D XPoint). В принципе, намёк на отдаление от Micron появился ещё в 2015 году, когда Intel приступила к переводу своего китайского завода в городе Далянь с выпуска системной логики и NAND-флеш на производство 3D NAND. Завод модернизирован и приступил к массовому выпуску 64-слойной памяти. Очевидно, в первой половине следующего года это предприятие начнёт выпускать 96-слойную память 3D NAND. И если с производством у компании полный порядок, то инженерный коллектив явно потребует усиления. Как ни крути, инженерная база Micron в США сильна своими специалистами и оборудованием, а через несколько месяцев её двери для Intel будут закрыты. Как сообщает сайт Motley Fool, Intel активно набирает специалистов для «формирования новой и передовой команды инженеров под руководством Technology and Strategy Office (TSO) с прицелом на значительное снижение затрат [на производство], улучшение продукции и реализацию возможностей оборудования и техпроцессов для будущих поколений производства 3D NAND». Можно предположить, что целевая инженерная группа Intel по разработке 3D NAND разместится вблизи завода в Китае (близость разработчиков и производства часто становится залогом успеха). В любом случае, Intel надо будет компенсировать интеллектуальный разрыв с Micron. В заключение напомним, что Intel может искать тесной связи с китайскими производителями чипов. Например, циркулирует слух, что NAND-продукцию завода в городе Далянь компания будет реализовывать через местного производителя UNIC Memory Technology. Компания UNIC Memory якобы будет также упаковывать и тестировать чипы Intel 3D NAND. За прошедший год выручка Intel на направлении 3D NAND выросла на 36,6 %. Компания в основном выпускает SSD для ЦОД и серверного рынка. Работа с китайцами может позволить Intel выйти на новые для неё рынки с изделиями по конкурентной цене.

28 марта компания Samsung провела торжественное мероприятие по закладке фундамента для второй производственной линии по выпуску памяти 3D NAND в китайском городе Сиань (Xian). Завод Samsung вблизи Сианя компания начала строить в 2012 году с запуском в коммерческую эксплуатацию в 2014 году. К нынешнему дню предприятие каждый месяц обрабатывает порядка 120 тыс. 300-мм пластин с памятью 3D NAND. Производственные здания занимают площадь 230 тыс. м2, а весь комплекс расположен на 1,14 млн м2, так что Samsung есть куда расширяться. До 2020 года в строительство второй очереди линий Samsung вложит около 8 трлн вон (примерно $7,47 млрд). Первая коммерческая продукция на второй линии начнёт выходить в следующем году. Проектная мощность второй линии составит 100 тыс. 300-мм подложек в месяц, что доведёт суммарную мощность завода компании в Китае до 220 тыс. 300-мм кремниевых пластин с памятью 3D NAND в каждый месяц. Для китайской общественности завод Samsung в Сиане играет особую роль. В этом городе родился действующий Президент страны Синь Цзиньпин. Новые инвестиции Samsung в завод станут крупнейшими за время его руководства страной в течение первого и второго сроков правления. Расширения завода по выпуску памяти 3D NAND позволит компании Samsung оставаться мировым лидером рынка с долей порядка 38 %. В текущем году ожидается рост продаж 3D NAND до пикового уровня в $59,2 млрд. До 2021 года, уверены аналитики компании IHS (подразделения Markit), стоимость мирового рынка памяти 3D NAND каждый год будет превышать $50 млрд. Сегодня память 3D NAND находится в состоянии небольшого превышения спроса над предложением, что стимулирует дальнейший рост цен на неё. Поэтому новые линии Samsung не только помогут компании укрепить положение на рынке, но и поспособствуют стабилизации цен на флеш-память.

На протяжении последних кварталов наблюдается рост цен на память DRAM и NAND. Его объясняют тем, что объемы выпуска этой продукции не поспевают за спросом. А недостаточные объемы выпуска, в свою очередь, списывают на трудности при освоении отраслью новых технологий: в случае DRAM это уменьшение технологических норм, а в случае NAND — переход к объемной компоновке (3D NAND). Департамент контроля цен китайской национальной комиссии по развитию и реформам не считает такое объяснение достаточно убедительным. Резкий рост цен за последние полтора года привлек внимание регулятора, который намерен провести расследование. У комиссии есть подозрения, что рост цен стал результатом «скоординированных действий». Проще говоря, сговора производителей. Рост цен отрицательно повлиял на показатели китайских производителей смартфонов. А больше всего выиграли от роста цен на DRAM южнокорейские компании Samsung и SK Hynix. Какими будут для них последствия расследования, пока говорить рано. Представители Samsung и SK Hynix отказались комментировать ситуацию.

В 2015 году компания Samsung затеяла строительство нового гигантского завода по выпуску полупроводников. На строительство и оборудование выделена впечатляющая сумма в $13,6 млрд. Предприятие вблизи города Пхёнтхэк (Pyeongtaek) раскинется на площади 2,89 млн м2. Проектная мощность предприятия, которая будет достигнута в четыре этапа в 2019 году, составит 200 тыс. 300-мм пластин в месяц. Около половины пластин планируется отдавать под выпуск многослойной флеш-памяти 3D NAND, что дополнительно укрепит и без того прочные позиции Samsung на рынке энергонезависимой памяти. Свежим сообщением южнокорейское издание Seoul Economy Daily рапортует, что первые линии на новом заводе Samsung начнут выпускать серийную продукцию до начала июля. Это будет передовая по нынешним меркам 64-слойная память 3D NAND. Первую серийную память с 64-слоями компания начала выпускать в ограниченных объёмах в конце прошлого года на другом своём заводе в Южной Корее. Также 64-слойную 3D NAND в конце лета прошлого года должна была начать выпускать компания Toshiba. Более плотную память массово пока никто не выпускает. Только во второй половине этого года к производству 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC приступит компания SK Hynix. Ранее сообщалось, что новый завод Samsung может начать массовый выпуск памяти 3D NAND уже в апреле, что на один квартал раньше запланированного. Судя по свежему сообщению, сделать этого не удалось, а жаль. Память 3D NAND как раз начала расти в цене, поэтому запуск предприятия Samsung на квартал раньше был бы очень кстати. Разумеется, для нас, для потребителей. Для компании Samsung отсрочка — это возможность заработать лишнюю копеечку на дорожающих сделках по 3D NAND.