Поиск
Показаны результаты для тегов 'транзисторы'.
Найдено: 2 результата
-
Специалисты Томского государственного университета (ТГУ) совместно с АО НПФ «Микран» создают технологию промышленного производства тонкоплёночных полупроводниковых гетероструктур для изделий гражданского, оборонного и космического назначения. Речь идёт прежде всего о разработке транзисторов нового поколения с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor, HEMT). Российские исследователи рассчитывают повысить удельную мощность таких изделий. «Для производства современных НЕМТ используют многослойные тонкоплёночные гетероструктуры, функциональные характеристики которых могут быть улучшены за счёт нитридных соединений индия-алюминия-галлия в сочетаниях, которые ранее промышленно не использовались», — отмечают специалисты. Помимо повышения мощности, будут улучшены и другие характеристики транзисторов. В частности, повысятся термическая стабильность и устойчивость к внешним высокоэнергетическим воздействиям. Отмечается, что в процессе изготовления HEMT летучие металл-органические соединения будут послойно наноситься на подложку из карбида кремния. Транзисторы нового поколения найдут применение в различных системах связи, в том числе мобильной и спутниковой. Реализация проекта обойдётся в 300 млн рублей. Половину этой суммы предоставит Минобрнауки РФ. Исследования планируется завершить к концу следующего года.
-
- российские
- учёные
-
(и ещё 7 )
C тегом:
-
Первые 20-нм транзисторы были выполнены в 2001 году
душман опубликовал тема в Новости цифровой техники
11 июня 2001 года на выставке Computex компания Intel сообщила о том, что ей удалось выполнить первый 20-нм транзистор. Отличилась орегонская лаборатория (Хиллсборо, США). На тот момент времени передовыми считались интегрированные решения Pentium III, выполненные по 180-нм технологическим нормам. Свой доклад Intel разбавила впечатляющим прогнозом. В то время закон Мура соблюдался наиболее точно. Поэтому выдвигалось предположение, что уже к 2007 году число транзисторов в современных микросхемах дойдет до миллиарда, а их частота увеличится вплоть до 20 ГГц. Как показало время, этим прогнозам не суждено было сбыться. Сейчас только у самых производительных решений тактовая частота может превышать показатель 4 ГГц. Тем не менее, показательно, какой путь прошла полупроводниковая индустрия. От 20-нм технологии Intel в итоге отказалась в пользу 22 нанометров. Первым таким решением стали процессоры Ivy Bridge, выпущенные 23 апреля 2012 года. То есть от первых лабораторных успехов до реально коммерчески успешных решений прошло почти 11 лет. Как видно, разрабатывать интегральные схемы — задача нетривиальная. В рамках выставки Computex 2015 Intel наконец-то выпустила свои настольные решения Broadwell, построенные на 14-нм архитектуре. В конце августа в свет вышли процессоры Skylake-S, также произведенные по этому техпроцессу. Однако Intel уже сообщила, что инженеры компании достигли большого успеха в разработке 5-нм транзисторов.