Поиск
Показаны результаты для тегов 'micron'.
Найдено: 5 результатов
-
Intel, наконец, разъяснила состояние совместного с Micron предприятия 3D XPoint. Напомним: Intel и Micron вместе разработали новый класс энергонезависимой памяти, производство которой осуществляется на фабрике Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) в штате Юта. В заявлении Intel говорится, что для второго поколения памяти развитие будет также осуществляться совместными усилиями и, как ожидается, завершится в первой половине 2019 года. Но уже третье поколение этого типа памяти будет развиваться обеими компаниями независимо, что позволит им сосредоточиться на собственных бизнес-интересах: например, придерживаться более агрессивной стратегии. Технология 3D XPoint, продвигаемая на рынке под марками Optane от Intel и QuantX от Micron, стала мини-революцией в секторе энергонезависимой памяти. Продукты Optane от Intel преимущественно выступают в качестве высокоскоростных хранилищ данных, но были выпущены и DRAM-вариации. Optane вызвали значительный интерес со стороны тех корпоративных рынков, которые могут извлечь выгоду из очень быстрой и довольно доступной энергонезависимой памяти. Ожидается, что Intel начнёт выпускать свои продукты DRAM вместе с серверной архитектурой следующего поколения. В соответствии с условиями совместного предприятия каждая компания получает 50 % флеш-памяти, произведённой на фабрике IMFT в штате Юта. Решения Micron QuantX не были выпущены на рынок, так что их, вероятно, скупают корпоративные заказчики напрямую. Intel давно считает, что 3D XPoint имеет большое и светлое будущее, предлагая клиентам скорость и ёмкость для широкого спектра приложений. Продукт в перспективе может стать заменой как оперативной, так и постоянной памяти, но пока в основном используется в качестве буфера между HDD и ОЗУ. В новых версиях стандарта ожидается увеличение слоёв и, соответственно, быстрое наращивание ёмкости — видимо, этого можно ожидать уже во втором поколении памяти, над которым трудятся сейчас Intel и Micron. В последнее время у обеих компаний наблюдались проблемы. Intel выпустила продукты Optane DRAM заметно позже обещанного срока, а Micron столкнулась с трудностями в отношениях с китайским правительством и разочаровывающими продажами своей памяти 3D XPoint. Посмотрим, как будущий разрыв между Intel и Micron повлияет на развитие нового типа памяти и индустрию в целом. Во время нашего обзора накопители Optane SSD 900P создали впечатление продукта будущего, а потому хотелось бы, чтобы эти решения как можно быстрее становились более доступными и массовыми.
-
Несколько дней назад стало известно, что компании Micron запретили продавать часть своей продукции в Китае. Если точнее, запрет распространялся на 26 наименований. Кроме того, тогда же уточнялось, что продажи в Китае обеспечивают более 50% дохода Micron. В итоге из тех данных могло сложиться впечатление, что для Micron этот запрет является крайне критичным, но всё совсем не так. Если верить новому источнику, компания заявила, что китайский запрет почти не сыграет никакой роли. А всё дело в том, что те самые 26 наименований продукции приносят Micron лишь около 1% выручки. Аналитики также положительно настроены относительно перспектив компании, да и акции, которые сразу после падения вернулись к росту, подтверждают отсутствие рисков для Micron. Более того, краткосрочное падение продаж, обусловленное запретом, может привести к росту цен на память DRAM, так что Micron вполне может даже нарастить выручку.
-
Компания Micron Technology зафиксировала рекордные продажи благодаря высокому спросу на чипы памяти, используемые в компьютерах и смартфонах. За третий квартал 2018 финансового года, который завершился 31 мая, выручка Micron увеличилась на 40 % и достигла $7,8 млрд, чего не было никогда. Опрошенные Thomson Reuters I/B/E/S аналитики ожидали продажи на уровне $7,77 млрд. Чистая прибыль Micron увеличилась более чем вдвое — с $1,65 млрд в третьем квартале 2017 финансового года до $3,82 млрд год спустя. Прибыль также превысила средний прогноз по рынку. Из отчёта следует, что в марте–мае Micron нарастила продажи чипов оперативной памяти на 56 %. Эта продукция начала приносить производителю более 71 % доходов. Генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что DRAM-память пользуется высоким спросом со стороны владельцев дата-центров, производителей мобильных устройств и графических решений. По его словам, всё больше памяти требуется для развития тенденций в сферах искусственного интеллекта, дополненной реальностей и там, где происходит работа с изображениями высокого разрешения. По итогам четвёртого финансового квартала Micron ожидает выручку в диапазоне от 8 до 8,4 млрд долларов, тогда как на Уолл-стрит прогнозируют $8,07 млрд. После публикации финансовых результатов котировки американского чипмейкера возросли на 3 %.
-
Корпорация Micron Technology в этом месяце начала строительство третьего модуля производственного комплекса Fab 10 в Сингапуре. Как и имеющиеся Fab 10X и Fab 10N, новая фабрика будет использоваться для выпуска 3D NAND флеш-памяти. Micron подчёркивает, что расширение Fab 10 не призвано увеличить количество выпускаемых пластин с микросхемами памяти, но предназначено в первую очередь для создания плацдарма при производстве новых типов многослойной 3D NAND в будущем. Micron уже имеет две 300-мм фабрики по производству 3D NAND флеш-памяти в Сингапуре (Fab 10N и Fab 10X), которые были построены ранее в этом десятилетии. Эти комплексы в настоящее время изготавливают львиную долю флеш-памяти компании Micron. Новое здание является третьим модулем Fab 10 и будет располагаться рядом с существующими комплексами. Новая фабрика будет построена на земельном участке площадью 165 тыс. м2 на улице North Coast Drive. Для сравнения, Fab 10N (первый модуль производственного комплекса) была построена на земельном участке площадью 200 тыс. м2, а площадь её «чистой» комнаты превышала 24 тыс. м2. Micron не указывает площадь «чистой» комнаты в новом модуле из соображений конфиденциальности. Одна из вещей, которые подчёркивает Micron, заключается в том, что расширение Fab 10 не обязательно означает, что фабрика будет обрабатывать больше пластин. Эволюция 3D NAND — очень сложный процесс (эта тема была затронута в одной из наших заметок в конце 2016 года), но ключевой особенностью, которая позволяет данному типа энергонезависимой памяти увеличивать плотность записи, является увеличение количества слоёв. Как известно, для нанесения слоёв применяют метод химического осаждения из паровой фазы (chemical vapor deposition, CVD) и соответствующее оборудование. Таким образом, по мере роста количества слоев каждая пластина проводит всё больше времени в CVD-машине. Кроме того, больше количество слоёв требует несколько большего времени для травления в них отверстий (etching). Поскольку методики травления имеет известные пределы, для увеличения количества слоёв свыше определённых значений производители NAND будут вынуждены начать применять разные экстравагантные методики, вроде string stacking (построение ещё одного массива 3D NAND ячеек поверх имеющегося), что дополнительно увеличивает производственный цикл. Стремясь сохранить количество обрабатываемых пластин по мере увеличения количества слоёв 3D NAND, производители флэш-памяти должны увеличивать количество CVD-машин в чистых комнатах, что требует дополнительного пространства. Таким образом, хотя расширения производственных комплексов могут не отражаться на количестве обрабатываемых пластин, они обеспечивают рост с точки зрения общего объёма выпускаемой памяти в пересчёте на бит. Ожидается, что первая фаза нового модуля Fab 10 будет завершена к лету 2019. Micron планирует получить первые коммерческие пластины, обработанные на новой фабрике, в четвёртом квартале следующего года. Как обычно, наращивание производства в новом комплексе займёт некоторое время, так что можно ожидать, что новая фабрика начнёт вносить значительный вклад в общий объём выпуска 3D NAND компанией Micron где-то в 2020 году. Производитель не указывает, какой именно тип 3D NAND он планирует изготавливать в новом модуле Fab 10, но с учётом временных рамок, можно с высокой долей вероятности утверждать, что эти микросхемы будут иметь более 64 NAND-слоёв. Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra), исполнительный директор Micron, сказал, что в дополнение к расширению комплекса Fab 10, компания также расширит свои научно-исследовательские и опытно-конструкторские разработки в Сингапуре. Среди прочего, Micron планирует нанять ученых-материаловедов, инженеров-электриков, ученых-исследователей и т. д. Хотя Micron не раскрывает производственные мощности нового модуля Fab 10, но говорит, что новый завод потребует от компании набора дополнительного персонала для работы на фабрике и в цепочке поставок. В настоящее время численность работников Micron в Сингапуре составляет 7500 человек. Новый завод и расширение НИОКР потребуют от Micron нанять ещё 1000 человек.
-
Американский производитель чипов памяти Micron сообщил о продаже активов, связанных с брендом Lexar, под которым выпускались сменные накопители и кардридеры. Этот бизнес покупает китайская компания Shenzhen Longsys Electronics, специализирующаяся на разработке устройств для хранения данных (SSD, USB-флешки и др. ). Финансовые условия сделки не раскрываются. Компания Lexar Media отделилась от Cirrus Logic в 1996 году, в 2006-м она была приобретена Micron. В Longsys обещают сохранить бренд Lexar на рынке. «Для нас большая честь приобрести бренд Lexar, — комментирует глава Longsys Хуабо Цай (Huabo Cai). — Действующие клиенты могут быть уверены в том, что инновационные решения и превосходная поддержка, которые они получали от Lexar, останутся». Ещё в июне 2017 года Micron объявила об отказе от бренда Lexar и планах сосредоточиться на более дорогих рынках со стабильным ростом. Как сообщает издание DigiTimes со ссылкой на отраслевые источники, приобретение Lexar позволит Longsys запустить собственный бренд, который, правда, может оказать негативное влияние на отношения с нынешними китайскими клиентами на потребительском рынке флеш-накопителей.